國產等離子刻蝕機是一種用于微納加工的設備，它采用等離子體技術對微電子器件進行精確刻蝕，是半導體工業中*關鍵設備之一。它主要由核心部件、控制系統和輔助設備組成。核心部件包括真空室、等離子氣體供應系統、射頻發生器、陰極材料等元件，這些元件協同工作可以產生高能量的等離子體束，實現對硅基材料的精確刻蝕。控制系統則包括程序控制器、數據采集系統、參數設置系統等，通過這些系統可以實現設備的自動化控制和運行優化。輔助設備則包括真空泵、水冷裝置、氣體凈化裝置等，這些設備保證了設備穩定運行所需的...

多功能微納結構寬帶吸收器的設計與應用電子科技大學老師使用PLUTO-T型等離子清洗機，應用于制備具有超柔性超疏水的等離激元TiN吸收器。通過將TiN納米顆粒和聚二甲基硅氧烷溶液進行耦合，構建了具有優異的光吸收、光熱效應及超疏水性，強健的機械柔韌性、抗沖擊性、耐磨性及自修復能力的等離激元TiN吸收器。4.2.3.3自修復測試自修復測試是通過使用等離子體撞擊樣品表面及光照愈合的方法進行的。首先，將樣品放入氧等離子體儀中，功率設為150W。用氧等離子體轟擊樣品表面3分鐘，涂層變為超...

等離子體處理對于聚丙烯微流控芯片粘接強度的影響聚丙烯（Polypropylene，PP）材料是一種熱塑性半結晶塑料，其具有價格低廉、易于加工成型以及生物兼容性良好等優點，因此PP可以被用于微流控芯片的加工制作。微流控芯片是將通道、反應池等功能模塊集成在微米尺度的一種微流體操作平臺。等離子體處理是利用等離子體中的高能態粒子打斷聚合物表面的共價鍵，等離子體中的自由基則與斷開的共價鍵結合形成極性基團，從而提高了聚合物表面活性。于此同時，等離子體對高分子聚合物表面存在物理刻蝕作用，導...

單層MoS2光電探測器的制備和性能調控二維過渡金屬硫化物(2D-TMDS)材料(如M0S2、WS2、SnS2NbS2)具有優異的光學、電學、光電學、力學等性能，材料厚度為0.1?Inm,具有理想的半導體帶隙(1.5-2.1eV),以及強烈的光-物質相互作用，成為下一代微型、高靈敏度、高穩定、透明性的光電探測器的理想材料。對單層MoS2光電探測器進行氧等離子處理，氧等離子處理工藝是：將制備出的單層MoS2光電探測器放置于低溫氧等離子環境中，氧等離子體機的放電功率均設置為10W,...

TiO2/二維(ReS2,GeTe)薄膜異質結光催化劑制備及光電催化性能研究PLUTO-T型等離子清洗機適合在大學實驗室和研究機構使用的實驗室桌面型等離子清洗機。性能穩定，操作方便，參數響應反饋及時，深得科研人員的喜愛和贊同。浙江大學客戶使用PLUTO-T型等離子清洗機發表了論文。（1）采取球磨與超聲液相輔助剝離法制備二維層狀ReS2納米片，所制得的納米片尺寸約為200nm，厚度小于10nm。通過滴涂法工藝在一維TiO2垂直納米棒（NRs）陣列薄膜上涂覆ReS2納米片制備Ti...